PN8366 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)功能，可以在200mS 以內(nèi)完全啟動(dòng)；當(dāng)PN8366 本體溫度太高時(shí)，其內(nèi)置的OTP 保護(hù)功能會(huì)及時(shí)動(dòng)作，關(guān)閉IC，以保護(hù)整個(gè)系統(tǒng)，溫度下降之后再自動(dòng)重啟；電路具有輸出短路保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)，開(kāi)環(huán)保護(hù)， VDD 過(guò)壓保護(hù)等功能，以提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性；當(dāng)反饋腳FB 的分壓電阻開(kāi)路或短路時(shí)，系統(tǒng)都會(huì)進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)；當(dāng)CS 腳短路（或Rcs 短路）時(shí)系統(tǒng)會(huì)發(fā)生保護(hù)并進(jìn)入Latch 狀態(tài)，以確保系統(tǒng)不會(huì)被損壞；C1，L2，C2 組成π 性濾波，以改善EMI 性能；PCB LAYOUT

PCB 為普通單面板工藝，雙面元器件，銅厚1OZ，基材為FR-4。PCB 長(zhǎng)40.8mm，寬31mm，厚1mm。

PN8366產(chǎn)品描述：
PN8366集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 7008366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開(kāi)/短路保護(hù)等。

PN8366產(chǎn)品特點(diǎn)：
內(nèi)置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，小于30mW空載損耗（230VAC）
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率，滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
無(wú)需額外補(bǔ)償電容
無(wú)音頻噪聲
智能保護(hù)功能
過(guò)溫保護(hù) (OTP)
VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP)
CS開(kāi)/短路保護(hù) (CS O/SP）
開(kāi)環(huán)保護(hù) (OLP)

PN8366廣泛應(yīng)用于：
開(kāi)關(guān)電源適配器
電池充電器
機(jī)頂盒電源

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